隨著5G、AI、消費(fèi)電子的興起，芯片半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模保持高速增長(zhǎng)，成為未來(lái)科技生活的關(guān)鍵點(diǎn)。而半導(dǎo)體新技術(shù)在攻堅(jiān)突破的同時(shí)，對(duì)芯片尺寸和性能的要求也不斷升級(jí)。芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵一環(huán)，其電氣性能的測(cè)試工序是半導(dǎo)體集成電路制程的比較重要的一道工序。
芯片的測(cè)試通道需要開(kāi)關(guān)來(lái)控制和切換，繼電器對(duì)芯片的測(cè)試主要有電源供應(yīng)和信號(hào)測(cè)量?jī)纱蠊δ埽瑐鹘y(tǒng)方式采用干簧管繼電器，但MOS FET繼電器具有較高的增益和阻抗。歐姆龍全新上市的G3VM帶電壓驅(qū)動(dòng)型MOS FET繼電器從電流驅(qū)動(dòng)變成電壓驅(qū)動(dòng)，同時(shí)其小尺寸更有效利于設(shè)備小型化！
G3VM-31QV / G3VM-61QV
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
低阻抗低電容
滿(mǎn)足大負(fù)載電流，低阻抗低電容。現(xiàn)在大部分設(shè)備使用了傳統(tǒng)的干簧管繼電器來(lái)進(jìn)行測(cè)試，傳統(tǒng)干簧管尺寸體積較大由電流控制，大電流低漏電流，測(cè)量角度單一。而G3VM帶電壓驅(qū)動(dòng)型MOS FET繼電器低阻抗低電容，低漏電流，使測(cè)量結(jié)果更精確。
小尺寸，減少封裝面積
尺寸小，可以有效減少封裝面積，節(jié)省封裝尺寸和其他零件的占板面積，有利于設(shè)備小型化。
電壓驅(qū)動(dòng)
電流驅(qū)動(dòng)改為電壓驅(qū)動(dòng)，電阻器集成于產(chǎn)品內(nèi)部，只需要加載電壓就能進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，讓整個(gè)測(cè)試過(guò)程更為便捷快速。
產(chǎn)品信息
*測(cè)量輸入輸出間的耐壓時(shí)，分別對(duì)LED針腳、受光側(cè)統(tǒng)一地施加電壓。
電氣性能（TA=25）
實(shí)際應(yīng)用
適用于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備、數(shù)據(jù)記錄儀
